内容字号:默认大号超大号

段落设置:取消段首缩进段首缩进

字体设置:切换到微软雅黑切换到宋体

业界资讯 软件之家
Win10之家 WP之家
iPhone之家 iPad之家
安卓之家 数码之家
评测中心 智能设备
精准搜索请尝试:精确搜索

澳门银河国际博彩官网

2018-7-10 18:34:31来源:IT之家作者:孤城责编:孤城评论:

IT之家7月10日消息 根据HKEPC的消息,三星最新宣布已开始批量生产第五代V-NAND内存颗粒,全新第五代V-NAND采用96层堆叠设计,单模容量为256Gb。三星全新256 Gb储存传输数据的速度最高可达到1.4 Gbps,相当64层NAND Flash增加了40%,并且可实现更低的功耗及大幅减少写入延迟。

三星全新第五代V-NAND在密度进一步增加,由64层提升至96层,三星强调新芯片减少了晶圆上的物理X,Y尺寸,并拥有更高功率及性能。同时,首次使用了Toggle DDR 4.0接口,能够提供高达1.4Gbps的数据传输速度,比上代64层堆叠提升了40%。

全新V-NAND相比64层NAND Flash在性能上有所增强,主要是因为工作电压已从1.8V降至1.2V,同时新的V-NAND迄今为止的数据写入速度最快,达到500 μs,比上一代写入速度提高了约30%,而对读取讯号的反应时间则显示减少到50μs,新的工作电压应有助于延长笔记本电脑的电池寿命,并降低从桌面及数据中心系统的整体功耗。

三星表示,率先会打造单模256Gb容量的V-NAND,与目前大多数三星消费类SSD使用的相同尺寸,预计会在移动及SSD市场中得到广泛应用,未来将会推出基于第五代V-NAND的1Tb及QLC产品。

相关文章

关键词:三星内存96层

IT之家,软媒旗下科技门户网站 - 爱科技,爱这里。

Copyright (C) RuanMei.com, All Rights Reserved.

软媒公司版权所有